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  2. Diodo SI Uso General DET 35V 300mA encapsulado DO-35 [1S2473] Diodo SI Uso General DET 35V 300mA encapsulado DO-35

Diodo SI Uso General DET 35V 300mA encapsulado DO-35

[1S2473] Diodo SI Uso General DET 35V 300mA encapsulado DO-35

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    Diodo 1S2473

    El 1S2473 es un diodo de conmutación de alta velocidad planar epitaxial de silicio que está diseñado para aplicaciones de conmutación de uso general.

    Especificaciones
    1S2473
    EncapsuladoDO-35
    Voltaje inverso pico35V
    Corriente continua directa300mA
    Tensión directa1.2V
    Corriente inversa0.5μA
    Capacitancia3pF
    Tiempo de recuperación inverso4ns
    Disipación de potencia300mW
    Temperatura de funcionamiento
    		-65°C - +175°C