Transistor 2N5089
El 2N5089 es un transistor de uso general construido en material de silicio que está diseñado para amplificadores y otras aplicaciones de conmutación.
Especificaciones
| 2N5089 | |||
|---|---|---|---|
| Encapsulado | TO-92 | ||
| Polaridad | NPN | ||
| Voltaje colector - emisor | 25V | ||
| Voltaje colector - base | 30V | ||
| Voltaje emisor - base | 3V | ||
| Corriente del colector | 50mA | ||
| Corriente de corte del colector | 50nA | ||
| Ganancia de corriente hFE | 1200 | ||
| Disipación de potencia | 625mW | ||
| Ganancia - Producto de ancho de banda | 50MHz | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55°C - +150°C | ||
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