Transistor FET Canal N 60V 200mA encapsulado TO-92

[2N7000] Transistor FET Canal N 60V 200mA encapsulado TO-92

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Transistor 2N7000

El transistor 2N7000 es un pequeño MOSFET de canal N, se puede usar para cambiar cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y se caracteriza por una conmutación rápida. También es apto para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente como control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Especificaciones
2N7000
EncapsuladoTO-92
Voltaje de drenaje - fuente60V
Voltaje de compuerta de drenaje60V
Intensidad drenador continua200μA
Resistencia de activación RDS1.2 Ohm
Tensión de medición RDS
10V
Tensión umbral Vgs2.1V
Disipación de potencia
400mW
Corriente de drenaje máxima200mA
Temperatura de funcionamiento-55°C - +150°C