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IRF3205PBF Transistor HEXFET® Power Mosfet 55V 110A Empaque TO-220A

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SKU: IRF3205PBF

S/ 1.80 1.8 PEN S/ 1.80 IGV Incluido

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    Transistor IRF1010EPBF

    El IRF1010EPBF es un transistor que está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Las aplicaciones más comunes para este tipo de Mosfet son tales como regulador o convertidor de conmutación, controlador de motores o relés y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

    Especificaciones
    IRF1010EPBF
    EncapsuladoTO-220AB
    Voltaje drenaje - fuente60V
    Voltaje compuerta - fuente±20V
    Corriente continua de drenaje
    		T=25°C , I=84A
    T=100°C , I=59A
    Voltaje umbral compuerta - fuente2V - 4V
    Disipación de potencia
    		200W
    Carga de compuerta130nC
    Capacitancia de salida290pf
    Resistencia drenaje - fuente
    		12mΩ
    Temperatura de funcionamiento
    		-55°C - +175°C