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Transistor Mosfet Canal N 500V 4.5A encapsulado TO-220

[IRF830] Transistor Mosfet Canal N 500V 4.5A encapsulado TO-220

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    Transistor IRF830

    El IRF830 es un transistor de potencia diseñado con una tecnología que mejora el rendimiento del mismo. Sus aplicaciones más frecuentes son en conmutación de alta corriente y alta velocidad, fuentes de alimentación, convertidores y drivers de motor.

    Especificaciones
    IRF830
    EncapsuladoTO-220
    Voltaje drenaje - fuente500V
    Voltaje compuerta - fuente±20V
    Corriente continua de drenaje
    		T=25°C , I=4.5A
    T=100°C , I=2.9A
    Voltaje umbral compuerta - fuente2V - 4V
    Disipación de potencia
    		100W
    Capacitancia de entrada610pf
    Capacitancia de salida120pf
    Resistencia drenaje - fuente
    		1.5Ω
    Temperatura de funcionamiento
    		-65°C - +150°C