Transistor RFP40N10
El RFP40N10 es un transistor Mosfet fabricado utilizando el proceso MegaFET. Está diseñado para uso en aplicaciones tales como reguladores y convertidores de conmutación, y controladores de motores o relés.
Especificaciones
| RFP40N10 | |||
|---|---|---|---|
| Encapsulado | TO-220AB | ||
| Voltaje drenaje - fuente | 100V | ||
| Voltaje compuerta - fuente | ±20V | ||
| Corriente continua de drenaje | 40A | ||
| Voltaje umbral compuerta - fuente | 2V - 4V | ||
| Disipación de potencia | 160W | ||
| Resistencia drenaje - fuente | 0.040Ω | ||
| Voltaje del diodo fuente - drenaje | 1.5V | ||
| Carga total de la compuerta | 300nC | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55°C - +175°C | ||
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