Transistor Mosfet Canal N 100V 40A encapsulado TO-220AB

https://hifisac.com/web/image/product.template/2884/image_1920?unique=0442bb8 SKU: RFP40N10

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    Referencia Interna: RFP40N10
    Nombre de Unidad de Medida: Unidades

    Transistor RFP40N10

    El RFP40N10 es un transistor Mosfet fabricado utilizando el proceso MegaFET. Está diseñado para uso en aplicaciones tales como reguladores y convertidores de conmutación, y controladores de motores o relés.

    Especificaciones
    RFP40N10
    EncapsuladoTO-220AB
    Voltaje drenaje - fuente100V
    Voltaje compuerta - fuente±20V
    Corriente continua de drenaje
    40A
    Voltaje umbral compuerta - fuente2V - 4V
    Disipación de potencia
    160W
    Resistencia drenaje - fuente
    0.040Ω
    Voltaje del diodo fuente - drenaje1.5V
    Carga total de la compuerta
    300nC
    Temperatura de funcionamiento
    -55°C - +175°C