Transistor 2N3019
El 2N3019 es un transistor con alta ganancia y baja saturación construido en material de silicio que está diseñado para amplificador de alta corriente y alta frecuencia.
Especificaciones
| 2N3019 | |||
|---|---|---|---|
| Encapsulado | TO-39 | ||
| Polaridad | NPN | ||
| Voltaje colector - emisor | 80V | ||
| Voltaje colector - base | 140V | ||
| Voltaje emisor - base | 7V | ||
| Corriente del colector | 1A | ||
| Corriente de corte del colector | 10μA | ||
| Ganancia de corriente hFE | 300 | ||
| Disipación de potencia | 5W | ||
| Frecuencia de transición | 100MHz | ||
| Temperatura de funcionamiento | -65°C - +200°C | ||
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