- Rango V IN: 2,5 V a 16 V
- Rango V OUT (nuevo chip):
1,2 V a 5,0 V (fijo, pasos de 100 mV)
- Rango V OUT (chip heredado): 2,5 V a 6,1 V
- Precisión de V SALIDA:
±1 % para chip heredado de grado A
±1,5 % para chip heredado de grado estándar
±0.5% solo para chip nuevo
- Precisión de salida sobre carga y temperatura:
±1% para chip nuevo
- Corriente de salida: Hasta 150 mA
Bajo I Q (chip nuevo): 71 µA en I LOAD = 0 mA
Bajo I Q (chip nuevo): 750 µA en I LOAD = 150 mA
- Corriente de apagado:
0,05 µA (típico) para chip heredado
1,12 µA (típico) para chip nuevo
- Bajo nivel de ruido: 30 µV RMS con capacitor de derivación de 10 nF
- Limitación de corriente de salida y protección térmica
- Estable con condensadores cerámicos de 2,2 µF
- PSRR alto: 70 dB a 1 kHz, 40 dB a 1 MHz
- Temperatura de unión de funcionamiento: –40 °C a +125 °C
- Paquete: voltaje de caída ultrabajo SOT-23 (DBV) de 5 pines