Transistor 2N3019
El 2N3019 es un transistor con alta ganancia y baja saturación construido en material de silicio que está diseñado para amplificador de alta corriente y alta frecuencia.
Especificaciones
2N3019 | |||
---|---|---|---|
Encapsulado | TO-39 | ||
Polaridad | NPN | ||
Voltaje colector - emisor | 80V | ||
Voltaje colector - base | 140V | ||
Voltaje emisor - base | 7V | ||
Corriente del colector | 1A | ||
Corriente de corte del colector | 10μA | ||
Ganancia de corriente hFE | 300 | ||
Disipación de potencia | 5W | ||
Frecuencia de transición | 100MHz | ||
Temperatura de funcionamiento | -65°C - +200°C |
Su fragmento dinámico se mostrará aquí...
Este mensaje se muestra porque no proporcionó un filtro y una plantilla para usar.